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佛山电池片的电性能参数


佛山电池片
电池片可分为单晶硅电池片?#25237;?#26230;硅单电池片。单晶硅电池的转换率高于多晶硅电池2-3%,多晶硅电池的弱光性好于单晶单晶太阳能电池规格:156×156±
规格:156×156±0.5mm
对角线:202±1.0mm
硅片的厚度:220±20um
正面:有蓝色氮化硅反射膜,银汇流带(宽有1.8、1.6、正面:有蓝色氮化硅反射膜,银汇流带(宽有1.8、1.6、2毫米规格宽)
背面:全部由铝背场覆盖,有4毫米宽的银铝焊线

铝背场
定义:为了改善硅太阳电池的效率,在p-n结制备完成后,往往在硅片的背面即背光面,沉积一层铝膜,制备P+层,称为铝背场。
作用:减少少数载流子在背面复合的概率。也可以作为背面的金属电极,还有可以扩散吸杂作用,与磷扩散吸杂不同,铝吸杂在相对?#31995;?#30340;温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积,而在较高温度下,沉积的杂质?#23376;?#28342;解进入硅中,对Mc—Si产生不利的影响。
制备方法:最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉制备方法:最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉积一层铝膜,然后再800~1000℃积一层铝膜,然后再800~1000℃热处理,使铝膜和硅合金化并内扩散,形成一层高铝浓度掺杂的P+层,构成铝背金化并内扩散,形成一层高铝浓度掺杂的P+层,构成铝背场。

光生伏打原理
当光线照射太阳电池表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传?#33694;?#20102;硅原子,使电子发生了?#35282;ǎ?#25104;为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下,将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的的实质是:光子能量转换成电能的过程。

进料检测
外观:表面无污,氮化硅膜色匀
栅线均匀对称排布,无氧化及外观缺陷脱落
片子无隐?#36873;型角、划痕,U型口应不大于1×2mm2
电池片翘曲度,单晶硅125×125cell≤1.0mm
多晶硅156多晶硅156×156cell≤1.8mm

广州电池片电性能参数
太阳能电池效率η
太阳能电池的填充因子FF=Vm*Im/Voc*Isc
短路电流Isc,当V=0时,电流达到的最大值
开路电压Voc,当I=0时,电压达到的最大值
在I=Isc,V=0及V=Voc,I=0处,其功?#25163;礟=0,最大功率Pm=VmIm,实?#20351;?#29575;达不到Pm

栅线电极
太阳能电池栅线是由专用导电银浆印刷至上。
由超细银粉和低温固化?#20154;?#24615;树脂制成。

太阳电池热斑现象
是指太阳电池组件在阳光照射下,由于部分组件受到遮?#21442;?#27861;工作,使得被遮盖的部分升温?#23545;?#22823;于未被遮盖部分,致使温度过高出现烧坏的暗斑。
多晶硅太阳电池在构成组件后,已装有旁路二极管用以消除热斑。

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